FDC638APZ, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 4.5A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 20В |
| Ток стока макс.: | 4.5A |
| Сопротивление открытого канала: | 43 мОм |
| Мощность макс.: | 800мВт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1.5В |
| Заряд затвора: | 12нКл |
| Входная емкость: | 1000пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SSOT6 |
| Вес брутто: | 0.04 г. |
| Наименование: | FDC638APZ |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 20V 4.5A SSOT-6 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
Описание
FDC638APZ, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 4.5A - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.
Производитель: ON Semiconductor. Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 43 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.
Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.