SI1021R-T1-GE3, Транзистор полевой P-канальный 60В 190мА
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 190мА |
| Сопротивление открытого канала: | 4 Ом |
| Мощность макс.: | 250мВт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3В |
| Заряд затвора: | 1.7нКл |
| Входная емкость: | 23пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SC-75 |
| Наименование: | SI1021R-T1-GE3 |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
Описание
SI1021R-T1-GE3, Транзистор полевой P-канальный 60В 190мА - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 190мА Сопротивление открытого канала: 4 Ом Мощность макс.: 250мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: Vishay. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.