IRFD220PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 0.8А 1.3Вт, 0.8 Ом
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 200В |
| Ток стока макс.: | 800мА |
| Сопротивление открытого канала: | 800 мОм |
| Мощность макс.: | 1Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 14нКл |
| Входная емкость: | 260пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Вес брутто: | 0.6 г. |
| Наименование: | IRFD220PBF |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 200V 0.8A 4-Pin HVMDIP |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 100 шт |
| Корпус: | HVMDIP-4 |
Описание
Компонент IRFD220PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 0.8А 1.3Вт, 0.8 Ом - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 800мА Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Производитель: Vishay. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.