NDS0610, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 120мА, 0.3Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 120мА |
| Сопротивление открытого канала: | 10 Ом |
| Мощность макс.: | 360мВт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3.5В |
| Заряд затвора: | 2.5нКл |
| Входная емкость: | 79пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT23-3 |
| Вес брутто: | 0.03 г. |
| Наименование: | NDS0610 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 60V 120MA SOT-23 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
Описание
Компонент NDS0610, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 120мА, 0.3Вт - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120мА Сопротивление открытого канала: 10 Ом Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: ON Semiconductor. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.