FQU5N60CTU, Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 2.8 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 600В |
| Ток стока макс.: | 2.8A |
| Сопротивление открытого канала: | 2.5 Ом |
| Мощность макс.: | 2.5Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 19нКл |
| Входная емкость: | 670пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-251 |
| Наименование: | FQU5N60CTU |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 600V 2.8A IPAK |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 70 шт. |
Описание
FQU5N60CTU, Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 2.8 А - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 2.8A Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Производитель: ON Semiconductor. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.