Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор MOSFET N-канального типа от компании Infineon Technologies - IPW60R190E6FKSA1. Этот надёжный и эффективный компонент разработан для использования в широком спектре электронных устройств, где требуется управление высокими напряжениями и токами.

Ключевые характеристики данного транзистора:

• Напряжение исток-сток макс.: 650В
• Ток стока макс.: 20.2А
• Тип транзистора: N-канальный
• Тип монтажа: Through Hole
• Корпус: TO-247
• Вес брутто: 8.1 г
• Описание Eng: MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
• Тип упаковки: Tube (туба)
• Нормоупаковка: 30 шт

Данный транзистор MOSFET IPW60R190E6FKSA1 от Infineon Technologies находит широкое применение в различных областях электроники, таких как импульсные источники питания, инверторы, преобразователи напряжения, системы управления двигателями и многое другое. Его высокая надёжность и эффективность делают его идеальным выбором для инженеров, проектирующих современные электронные устройства.