FDB8880, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 54А 11 мОм
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 11A |
| Сопротивление открытого канала: | 11.6 мОм |
| Мощность макс.: | 55Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.5В |
| Заряд затвора: | 29нКл |
| Входная емкость: | 1240пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | D2Pak (TO-263) |
| Вес брутто: | 1.2 г. |
| Наименование: | FDB8880 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 30V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт |
Описание
FDB8880, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 54А 11 мОм - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 11.6 мОм Мощность макс.: 55Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: ON Semiconductor. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.