FDS8813NZ, Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 18.5 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 18.5A |
| Сопротивление открытого канала: | 4.5 мОм |
| Мощность макс.: | 1Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3В |
| Заряд затвора: | 76нКл |
| Входная емкость: | 4145пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOIC8 |
| Наименование: | FDS8813NZ |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-SOIC |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
Описание
Техническое описание: FDS8813NZ, Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 18.5 А. Категория: электронные компоненты. Производитель: ON Semiconductor.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Ток стока макс.: 18.5A
- Входная емкость: 4145пФ
- Заряд затвора: 76нКл
- Корпус: SOIC8
- Мощность макс.: 1Вт
- Наименование: FDS8813NZ
- Напряжение исток-сток макс.: 30В
- Нормоупаковка: 2500 шт.