FQB6N80TM, Транзистор полевой N-канальный 800В 5.8A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 800В |
| Ток стока макс.: | 5.8A |
| Сопротивление открытого канала: | 1.95 Ом |
| Мощность макс.: | 3.13Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В |
| Заряд затвора: | 31нКл |
| Входная емкость: | 1500пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | D2PAK/TO263 |
| Вес брутто: | 1.2 г. |
| Наименование: | FQB6N80TM |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | Trans MOSFET N-CH 800V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
| Нормоупаковка: | 800 шт. |
Описание
FQB6N80TM, Транзистор полевой N-канальный 800В 5.8A - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 5.8A Сопротивление открытого канала: 1.95 Ом Мощность макс.: 3.13Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Производитель: ON Semiconductor. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.