FDA59N30, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 59A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 300В |
| Ток стока макс.: | 59A |
| Сопротивление открытого канала: | 56 мОм |
| Мощность макс.: | 500Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В |
| Заряд затвора: | 100нКл |
| Входная емкость: | 4670пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-3P(N) |
| Вес брутто: | 7.61 г. |
| Наименование: | FDA59N30 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 300V 59A TO-3P |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 30 шт |
Описание
FDA59N30, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 59A - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.
Производитель: ON Semiconductor. Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 59A Сопротивление открытого канала: 56 мОм Мощность макс.: 500Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.
Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.