MMSF3P02HDR2G, Транзистор полевой P-канальный 20В 5.6A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 20В |
| Ток стока макс.: | 5.6A |
| Сопротивление открытого канала: | 75 мОм |
| Мощность макс.: | 2.5Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2В |
| Заряд затвора: | 46нКл |
| Входная емкость: | 1400пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOIC8 |
| Наименование: | MMSF3P02HDR2G |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
Описание
Компонент MMSF3P02HDR2G, Транзистор полевой P-канальный 20В 5.6A (ON Semiconductor), категория электронные компоненты.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Ток стока макс.: 5.6A
- Входная емкость: 1400пФ
- Заряд затвора: 46нКл
- Корпус: SOIC8
- Мощность макс.: 2.5Вт
- Наименование: MMSF3P02HDR2G
- Напряжение исток-сток макс.: 20В
- Нормоупаковка: 2500 шт.