BSS123L, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 0.17A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 170мА |
| Сопротивление открытого канала: | 6 Ом |
| Мощность макс.: | 360мВт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2В |
| Заряд затвора: | 2.5нКл |
| Входная емкость: | 21.5пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-23 |
| Вес брутто: | 0.05 г. |
| Наименование: | BSS123L |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 100V 0.17A SOT-23 |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
Описание
BSS123L, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 0.17A — электронный компонент категории электронные компоненты. Производитель: ON Semiconductor.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Нормоупаковка: 3000 шт
- Описание Eng: MOSFET N-CH 100V 0.17A SOT-23
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 2В
- Производитель: ON Semiconductor
- Сопротивление открытого канала: 6 Ом
- Тип монтажа: Surface Mount
- Тип транзистора: N-канал