SI7315DN-T1-GE3, Полевой транзистор, P-канальный, 150 В, 8.9 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 150В |
| Ток стока макс.: | 8.9A |
| Сопротивление открытого канала: | 315 мОм |
| Мощность макс.: | 52Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 30нКл |
| Входная емкость: | 880пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | PowerPAKВ® 1212-8 |
| Наименование: | SI7315DN-T1-GE3 |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
Описание
SI7315DN-T1-GE3, Полевой транзистор, P-канальный, 150 В, 8.9 А - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: Vishay. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 8.9A Сопротивление открытого канала: 315 мОм Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.