SI7137DP-T1-GE3, Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 60 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 20В |
| Ток стока макс.: | 60A |
| Сопротивление открытого канала: | 1.95 мОм |
| Мощность макс.: | 104Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1.4В |
| Заряд затвора: | 585нКл |
| Входная емкость: | 20000пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | PowerPAKВ® SO-8 |
| Наименование: | SI7137DP-T1-GE3 |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
Описание
SI7137DP-T1-GE3, Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 60 А - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 1.95 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В
Производитель: Vishay. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.