BTS282ZE3230AKSA2, Полевой транзистор, N-канальный, 49 В, 80 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 49В |
| Ток стока макс.: | 80A |
| Сопротивление открытого канала: | 6.5 мОм |
| Мощность макс.: | 300Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Temperature Protection |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2В |
| Заряд затвора: | 232нКл |
| Входная емкость: | 4800пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Наименование: | BTS282ZE3230AKSA2 |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7 |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 500 шт. |
| Корпус: | PG-TO220-7 |
Описание
BTS282ZE3230AKSA2, Полевой транзистор, N-канальный, 49 В, 80 А - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 49В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 6.5 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Temperature Protection
Производитель: Infineon Technologies. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.