BSS87,115, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 400мА
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | NEXPERIA |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 200В |
| Ток стока макс.: | 400мА(Ta) |
| Сопротивление открытого канала: | 3 Ом @ 400mА, 10В |
| Мощность макс.: | 1Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Standard |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.8В @ 1mA |
| Входная емкость: | 120пФ @ 25В |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-89-3 |
| Вес брутто: | 0.14 г. |
| Наименование: | BSS87,115 |
| Производитель: | NEXPERIA |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 200V 400MA SOT89 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 1000 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию высококачественный полевой транзистор MOSFET N-канала BSS87,115 от надежного производителя NEXPERIA. Данный компонент отличается превосходными характеристиками, широкими возможностями применения и соответствует самым строгим отраслевым стандартам.
Транзистор BSS87,115 обладает максимальным напряжением сток-исток 200В и максимальным током стока до 400мА, что позволяет использовать его в схемах с высоким напряжением и токовой нагрузкой. Низкое сопротивление открытого канала в 3 Ом обеспечивает высокую эффективность и малые потери мощности, а максимальная рассеиваемая мощность в 1Вт делает этот транзистор универсальным решением для широкого спектра применений.
- Напряжение исток-сток макс.: 200В
- Ток стока макс.: 400мА(Ta)
- Сопротивление открытого канала: 3 Ом @ 400mА, 10В
- Мощность макс.: 1Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В @ 1mA
- Входная емкость: 120пФ @ 25В
- Тип монтажа: Surface Mount
- Корпус: SOT-89-3
- Вес брутто: 0.14 г.
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Нормоупаковка: 1000 шт
Транзистор BSS87,115 идеально подходит для широкого спектра применений, включая импульсные источники питания, драйверы электродвигателей, коммутационные схемы, усилители мощности и другие устройства, где требуются высокое напряжение, большой ток и малые потери. Благодаря компактному корпусу SMD, этот транзистор также может использоваться в миниатюрных и высокоплотных электронных схемах.