2V7002WT1G, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 310мА
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 310мА |
| Сопротивление открытого канала: | 1.6 Ом |
| Мощность макс.: | 280мВт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Automotive, Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.5В |
| Заряд затвора: | 0.7нКл |
| Входная емкость: | 24.5пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SC-70-3 (SOT323) |
| Вес брутто: | 0.04 г. |
| Наименование: | 2V7002WT1G |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
Описание
2V7002WT1G, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 310мА - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: ON Semiconductor. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 310мА Сопротивление открытого канала: 1.6 Ом Мощность макс.: 280мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.