NID9N05ACLT4G, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 52В 9A LL DPAK-3
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 52В |
| Ток стока макс.: | 9A(Ta) |
| Сопротивление открытого канала: | 90 мОм @ 9А, 12В |
| Мощность макс.: | 1.74Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.5В @ 100 µA |
| Заряд затвора: | 7нКл @ 4.5В |
| Входная емкость: | 250пФ @ 40В |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK/TO-252AA |
| Наименование: | NID9N05ACLT4G |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 52V 9A LL DPAK-3 |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
Описание
NID9N05ACLT4G, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 52В 9A LL DPAK-3 — электронный компонент категории электронные компоненты. Производитель: ON Semiconductor.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Тип транзистора: N-канал
- Ток стока макс.: 9A(Ta)
- Входная емкость: 250пФ @ 40В
- Заряд затвора: 7нКл @ 4.5В
- Корпус: DPAK/TO-252AA
- Мощность макс.: 1.74Вт
- Наименование: NID9N05ACLT4G
- Напряжение исток-сток макс.: 52В