BSZ042N06NS, Полевой транзистор N-канальный 60В 40A серия OPTIMOS TSDSON8
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 17A |
| Сопротивление открытого канала: | 4.2 мОм |
| Мощность макс.: | 2.5Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.8В |
| Заряд затвора: | 27нКл |
| Входная емкость: | 2000пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Наименование: | BSZ042N06NS |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CHANNEL 60V 40A OPTIMOS TSDSON8 |
| Нормоупаковка: | 5000 шт. |
| Корпус: | PG-TSDSON-8 (3.3x3.3) |
Описание
BSZ042N06NS, Полевой транзистор N-канальный 60В 40A серия OPTIMOS TSDSON8 - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 4.2 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: Infineon Technologies. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.