FDB16AN08A0, Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 58 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 75В |
| Ток стока макс.: | 9A |
| Сопротивление открытого канала: | 16 мОм |
| Мощность макс.: | 135Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 42нКл |
| Входная емкость: | 1857пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | D2PAK/TO263 |
| Наименование: | FDB16AN08A0 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 75V 58A TO-263AB |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 800 шт. |
Описание
Компонент FDB16AN08A0, Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 58 А (ON Semiconductor), категория электронные компоненты.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 75В
- Нормоупаковка: 800 шт.
- Описание Eng: MOSFET N-CH 75V 58A TO-263AB
- Пороговое напряжение включения макс.: 4В
- Производитель: ON Semiconductor
- Сопротивление открытого канала: 16 мОм
- Тип монтажа: Surface Mount
- Тип транзистора: N-канал