FDPF10N60ZUT, Транзистор полевой N-канальный 600В
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 600В |
| Ток стока макс.: | 9A |
| Сопротивление открытого канала: | 800 мОм |
| Мощность макс.: | 42Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В |
| Заряд затвора: | 40нКл |
| Входная емкость: | 1980пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220 |
| Наименование: | FDPF10N60ZUT |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 600V TO-220F-3 |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт. |
Описание
Компонент FDPF10N60ZUT, Транзистор полевой N-канальный 600В - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 42Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Производитель: ON Semiconductor. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.