SI7149ADP-T1-GE3, Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 50 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 50A |
| Сопротивление открытого канала: | 5.2 мОм |
| Мощность макс.: | 48Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.5В |
| Заряд затвора: | 135нКл |
| Входная емкость: | 5125пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | PowerPAKВ® SO-8 |
| Наименование: | SI7149ADP-T1-GE3 |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
Описание
Компонент SI7149ADP-T1-GE3, Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 50 А (Vishay), категория электронные компоненты.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Ток стока макс.: 50A
- Входная емкость: 5125пФ
- Заряд затвора: 135нКл
- Корпус: PowerPAKВ® SO-8
- Мощность макс.: 48Вт
- Наименование: SI7149ADP-T1-GE3
- Напряжение исток-сток макс.: 30В
- Нормоупаковка: 3000 шт.