FQD17P06TM, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 12А 135 мОм
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 12A |
| Сопротивление открытого канала: | 135 мОм |
| Мощность макс.: | 2.5Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 27нКл |
| Входная емкость: | 900пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK |
| Вес брутто: | 0.5 г. |
| Наименование: | FQD17P06TM |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт |
Описание
Компонент FQD17P06TM, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 12А 135 мОм (ON Semiconductor), категория электронные компоненты.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Описание Eng: MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
- Пороговое напряжение включения макс.: 4В
- Производитель: ON Semiconductor
- Сопротивление открытого канала: 135 мОм
- Тип монтажа: Surface Mount
- Тип транзистора: P-канал
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Ток стока макс.: 12A