IRF640PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 125Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 200В |
| Ток стока макс.: | 18A |
| Сопротивление открытого канала: | 180 мОм |
| Мощность макс.: | 125Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 70нКл |
| Входная емкость: | 1300пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220AB |
| Вес брутто: | 2.68 г. |
| Наименование: | IRF640PBF |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
IRF640PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 125Вт - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Производитель: Vishay. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.