CSD17313Q2Q1, Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 5 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Texas Instruments |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 5A |
| Сопротивление открытого канала: | 30 мОм |
| Мощность макс.: | 2.3Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Automotive, Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1.8В |
| Заряд затвора: | 2.7нКл |
| Входная емкость: | 340пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SON6 |
| Наименование: | CSD17313Q2Q1 |
| Производитель: | Texas Instruments |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 30V 5A 6SON |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
Описание
Компонент CSD17313Q2Q1, Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 5 А - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate
Производитель: Texas Instruments. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.