IPB60R190C6ATMA1, Транзистор полевой N-канальный 600В 20.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 600В |
| Ток стока макс.: | 20.2A |
| Сопротивление открытого канала: | 190 мОм |
| Мощность макс.: | 151Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3.5В |
| Заряд затвора: | 63нКл |
| Входная емкость: | 1400пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Наименование: | IPB60R190C6ATMA1 |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
| Нормоупаковка: | 1000 шт. |
| Корпус: | PG-TO263-2 |
Описание
IPB60R190C6ATMA1, Транзистор полевой N-канальный 600В 20.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 20.2A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 151Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В
Производитель: Infineon Technologies. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.