FDC8601, Полевой транзистор, N-канальный, 100 В
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 2.7A |
| Сопротивление открытого канала: | 109 мОм |
| Мощность макс.: | 800мВт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 5нКл |
| Входная емкость: | 210пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SSOT6 |
| Наименование: | FDC8601 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 100V TRENCH SSOT-6 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
Описание
FDC8601, Полевой транзистор, N-канальный, 100 В - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 109 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: ON Semiconductor. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.