SI2333DDS-T1-GE3, Транзистор полевой P-канальный 12В 6A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 12В |
| Ток стока макс.: | 6A |
| Сопротивление открытого канала: | 28 мОм |
| Мощность макс.: | 1.7Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate, 1.5V Drive |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1В |
| Заряд затвора: | 35нКл |
| Входная емкость: | 1275пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT23-3 |
| Наименование: | SI2333DDS-T1-GE3 |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 12V 6A SOT23 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
Описание
SI2333DDS-T1-GE3, Транзистор полевой P-канальный 12В 6A - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 1.7Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Производитель: Vishay. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.