FQN1N60CTA, Транзистор полевой N-канальный 600В 300мА
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 600В |
| Ток стока макс.: | 300мА |
| Сопротивление открытого канала: | 11.5 Ом |
| Мощность макс.: | 1Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 6.2нКл |
| Входная емкость: | 170пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO92-3 |
| Наименование: | FQN1N60CTA |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2000 шт. |
Описание
FQN1N60CTA, Транзистор полевой N-канальный 600В 300мА - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 300мА Сопротивление открытого канала: 11.5 Ом Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Производитель: ON Semiconductor. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.