FDMS8622, Транзистор полевой N-канальный 100В 4.8A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 4.8A |
| Сопротивление открытого канала: | 56 мОм |
| Мощность макс.: | 2.5Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 7нКл |
| Входная емкость: | 400пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | Power56 |
| Наименование: | FDMS8622 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-PQFN |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
Описание
FDMS8622, Транзистор полевой N-канальный 100В 4.8A - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: ON Semiconductor. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 4.8A Сопротивление открытого канала: 56 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.