FDA59N25, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 59А 390Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 250В |
| Ток стока макс.: | 59A |
| Сопротивление открытого канала: | 49 мОм |
| Мощность макс.: | 392Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В |
| Заряд затвора: | 82нКл |
| Входная емкость: | 4020пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-3P(N) |
| Вес брутто: | 6.86 г. |
| Наименование: | FDA59N25 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | Field-effect transistor, N-channel, 250 V, 59 A, 390 W |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 30 шт |
Описание
FDA59N25, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 59А 390Вт — электронный компонент категории электронные компоненты. Производитель: ON Semiconductor.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Производитель: ON Semiconductor
- Сопротивление открытого канала: 49 мОм
- Тип монтажа: Through Hole
- Тип транзистора: N-канал
- Тип упаковки: Tube (туба)
- Ток стока макс.: 59A
- Вес брутто: 6.86 г.
- Входная емкость: 4020пФ