FQB1P50TM, Транзистор полевой P-канальный 500В 1.5A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 500В |
| Ток стока макс.: | 1.5A |
| Сопротивление открытого канала: | 10.5 Ом |
| Мощность макс.: | 3.13Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В |
| Заряд затвора: | 14нКл |
| Входная емкость: | 350пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | D2PAK/TO263 |
| Наименование: | FQB1P50TM |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 500V 1.5A D2PAK |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 800 шт. |
Описание
FQB1P50TM, Транзистор полевой P-канальный 500В 1.5A - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: ON Semiconductor. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 1.5A Сопротивление открытого канала: 10.5 Ом Мощность макс.: 3.13Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.