PHT6NQ10T,135, Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 3 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | NEXPERIA |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 3A |
| Сопротивление открытого канала: | 90 мОм |
| Мощность макс.: | 1.8Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 21нКл |
| Входная емкость: | 633пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Наименование: | PHT6NQ10T,135 |
| Производитель: | NEXPERIA |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 100V 3A SOT223 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 4000 шт. |
| Корпус: | SOT-223 |
Описание
PHT6NQ10T,135, Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 3 А - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: NEXPERIA. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 1.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.