FQP12P20, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 11.5A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 200В |
| Ток стока макс.: | 11.5A |
| Сопротивление открытого канала: | 470 мОм |
| Мощность макс.: | 120Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В |
| Заряд затвора: | 40нКл |
| Входная емкость: | 1200пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220 |
| Вес брутто: | 2.82 г. |
| Наименование: | FQP12P20 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 200V 11.5A TO-220 |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 1000 шт |
Описание
FQP12P20, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 11.5A - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 11.5A Сопротивление открытого канала: 470 мОм Мощность макс.: 120Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Производитель: ON Semiconductor. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.