FQA70N10, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 70А 214Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 70A |
| Сопротивление открытого канала: | 23 мОм |
| Мощность макс.: | 214Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 110нКл |
| Входная емкость: | 3300пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-3P |
| Вес брутто: | 6.95 г. |
| Наименование: | FQA70N10 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 100V 70A TO-3P |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 30 шт |
Описание
FQA70N10, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 70А 214Вт - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 70A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 214Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Производитель: ON Semiconductor. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.