BSZ110N06NS3GATMA1, Полевой транзистор N-канальный 60В 20A 8-Pin TSDSON EP лента на катушке
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 20A |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Наименование: | BSZ110N06NS3GATMA1 |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R |
| Нормоупаковка: | 5000 шт. |
| Корпус: | Power33 |
Описание
BSZ110N06NS3GATMA1, Полевой транзистор N-канальный 60В 20A 8-Pin TSDSON EP лента на катушке - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 20A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount Наименование: BSZ110N06NS3GATMA1 Производитель: Infineon Technologies
Производитель: Infineon Technologies. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.