FQU2N100TU, Транзистор полевой N-канальный 1000В 1.6A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 1000В |
| Ток стока макс.: | 1.6A |
| Сопротивление открытого канала: | 9 Ом |
| Мощность макс.: | 2.5Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В |
| Заряд затвора: | 15.5нКл |
| Входная емкость: | 520пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-251 |
| Наименование: | FQU2N100TU |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 1000V 1.6A IPAK |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 5040 шт. |
Описание
Компонент FQU2N100TU, Транзистор полевой N-канальный 1000В 1.6A - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 1000В Ток стока макс.: 1.6A Сопротивление открытого канала: 9 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Производитель: ON Semiconductor. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.