FQB7N60TM, Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 74 А, 1000 мОм
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 600В |
| Ток стока макс.: | 7.4A |
| Сопротивление открытого канала: | 1 Ом |
| Мощность макс.: | 3.13Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В |
| Заряд затвора: | 38нКл |
| Входная емкость: | 1430пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | D2PAK/TO263 |
| Вес брутто: | 1.2 г. |
| Наименование: | FQB7N60TM |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 600V 7.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
| Тип упаковки: | Amunition Pack (лента в коробке) |
| Нормоупаковка: | 500 шт. |
Описание
Техническое описание: FQB7N60TM, Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 74 А, 1000 мОм. Категория: электронные компоненты. Производитель: ON Semiconductor.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Описание Eng: MOSFET N-CH 600V 7.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
- Пороговое напряжение включения макс.: 5В
- Производитель: ON Semiconductor
- Сопротивление открытого канала: 1 Ом
- Тип монтажа: Surface Mount
- Тип транзистора: N-канал
- Тип упаковки: Amunition Pack (лента в коробке)
- Ток стока макс.: 7.4A