IPS80R1K4P7AKMA1, Транзистор полевой N-канальный 800В 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 туба
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 800В |
| Ток стока макс.: | 4A |
| Сопротивление открытого канала: | 1.4 Ом |
| Мощность макс.: | 32Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | ±20В |
| Заряд затвора: | 10нКл |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Наименование: | IPS80R1K4P7AKMA1 |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
| Нормоупаковка: | 1500 шт. |
Описание
IPS80R1K4P7AKMA1, Транзистор полевой N-канальный 800В 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 туба - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом Мощность макс.: 32Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В
Производитель: Infineon Technologies. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.