CSD23203WT, Полевой транзистор P-канальный 8В 3A 6DSBGA
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Texas Instruments |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 8В |
| Ток стока макс.: | 3A(Ta) |
| Сопротивление открытого канала: | 19.4 мОм @ 1.5А, 4.5В |
| Мощность макс.: | 750мВт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1.1В @ 250 µA |
| Заряд затвора: | 6.3нКл @ 4.5В |
| Входная емкость: | 914пФ @ 4В |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Наименование: | CSD23203WT |
| Производитель: | Texas Instruments |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA |
| Нормоупаковка: | 250 шт. |
| Корпус: | 6-DSBGA |
Описание
CSD23203WT, Полевой транзистор P-канальный 8В 3A 6DSBGA - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 8В Ток стока макс.: 3A(Ta) Сопротивление открытого канала: 19.4 мОм @ 1.5А, 4.5В Мощность макс.: 750мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: Texas Instruments. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.