SI6423DQ-T1-E3, Транзистор полевой P-канальный 12В 8.2A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 12В |
| Ток стока макс.: | 8.2A |
| Сопротивление открытого канала: | 8.5 мОм |
| Мощность макс.: | 1.05Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 800mВ |
| Заряд затвора: | 110нКл |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | TSSOP8 |
| Наименование: | SI6423DQ-T1-E3 |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-TSSOP |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
Описание
SI6423DQ-T1-E3, Транзистор полевой P-канальный 12В 8.2A - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 8.2A Сопротивление открытого канала: 8.5 мОм Мощность макс.: 1.05Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: Vishay. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.