FQPF12N60C, Транзистор полевой N-канальный 600В 12А 51Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 600В |
| Ток стока макс.: | 12A |
| Сопротивление открытого канала: | 650 мОм |
| Мощность макс.: | 51Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 63нКл |
| Входная емкость: | 2290пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220F |
| Вес брутто: | 3 г. |
| Наименование: | FQPF12N60C |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | Field-effect transistor, N-channel, 600V 12A 51W |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
Компонент FQPF12N60C, Транзистор полевой N-канальный 600В 12А 51Вт - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 650 мОм Мощность макс.: 51Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Производитель: ON Semiconductor. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.