SI7139DP-T1-GE3, Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 40 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 40A |
| Сопротивление открытого канала: | 5.5 мОм |
| Мощность макс.: | 48Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.5В |
| Заряд затвора: | 146нКл |
| Входная емкость: | 4230пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | PowerPAKВ® SO-8 |
| Наименование: | SI7139DP-T1-GE3 |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
Описание
Компонент SI7139DP-T1-GE3, Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 40 А - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 5.5 мОм Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Производитель: Vishay. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.