• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

STP6NK60ZFP, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6А 32Вт

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:ST Microelectronics
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:600В
Ток стока макс.:6A
Сопротивление открытого канала:1.2 Ом
Мощность макс.:30Вт
Тип транзистора:N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:4.5В
Заряд затвора:46нКл
Входная емкость:905пФ
Тип монтажа:Through Hole
Корпус:TO-220FP
Вес брутто:2.46 г.
Наименование:STP6NK60ZFP
Производитель:ST Microelectronics
Описание Eng:N-MOS+D 600V, 6A, 32W
Тип упаковки:Tube (туба)
Нормоупаковка:50 шт

Описание

Представляем вашему вниманию мощный полевой транзистор N-канала STP6NK60ZFP от производителя ST Microelectronics. Данный компонент отличается высокой надежностью, эффективностью и универсальностью, что делает его идеальным выбором для широкого спектра электронных устройств и силовых приложений.

Транзистор STP6NK60ZFP обладает максимальным напряжением сток-исток 600В и максимальным током стока 6А, что позволяет использовать его в высоковольтных схемах и приложениях с высокой мощностью. Его низкое сопротивление открытого канала всего 1.2 Ом обеспечивает высокую энергоэффективность, а максимальная мощность 30Вт обеспечивает необходимый запас по рассеиваемой мощности.

  • Напряжение исток-сток макс.: 600В
  • Ток стока макс.: 6A
  • Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом
  • Мощность макс.: 30Вт
  • Тип транзистора: N-канал
  • Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
  • Заряд затвора: 46нКл
  • Входная емкость: 905пФ
  • Тип монтажа: Through Hole
  • Корпус: TO-220FP
  • Вес брутто: 2.46 г.

Благодаря своим характеристикам, транзистор STP6NK60ZFP находит широкое применение в различных областях электроники, таких как импульсные источники питания, преобразователи энергии, инверторы для возобновляемых источников энергии, регуляторы напряжения, а также в промышленном и бытовом оборудовании, где требуется надежный и эффективный коммутационный элемент. Высокая надежность и долговечность делают этот транзистор идеальным выбором для ответственных применений.