STP4NK60Z, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4А 70Вт
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 600В |
| Ток стока макс.: | 4A |
| Сопротивление открытого канала: | 2 Ом |
| Мощность макс.: | 70Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4.5В |
| Заряд затвора: | 26нКл |
| Входная емкость: | 510пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220 |
| Вес брутто: | 3.57 г. |
| Наименование: | STP4NK60Z |
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Описание Eng: | N-MOS 600V, 4A, 70W |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию полевой N-канальный MOSFET транзистор STP4NK60Z от компании ST Microelectronics. Этот высокопроизводительный транзистор обладает рядом выдающихся характеристик, которые делают его надежным и универсальным решением для широкого спектра электронных устройств.
Транзистор STP4NK60Z отличается высоким напряжением сток-исток до 600В, а также максимальным током стока до 4А и мощностью до 70Вт. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала в 2 Ом, он обеспечивает высокую эффективность и малые потери при коммутации мощных нагрузок.
- Напряжение исток-сток макс.: 600В
- Ток стока макс.: 4A
- Сопротивление открытого канала: 2 Ом
- Мощность макс.: 70Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
- Заряд затвора: 26нКл
- Входная емкость: 510пФ
- Тип монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-220
Благодаря своим характеристикам, транзистор STP4NK60Z идеально подходит для использования в широком спектре электронных устройств, включая импульсные источники питания, преобразователи напряжения, приводы электродвигателей, коммутаторы и другие применения, требующие высокой мощности и надежности. Этот транзистор является отличным выбором для инженеров, стремящихся создавать эффективные и надежные электронные системы.