FDP2532, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 79A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 150В |
| Ток стока макс.: | 8A(Ta),79A(Tc) |
| Сопротивление открытого канала: | 16 мОм @ 33А, 10В |
| Мощность макс.: | 310Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Standard |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В @ 250 µA |
| Заряд затвора: | 107нКл @ 10В |
| Входная емкость: | 5870пФ @ 25В |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220AB |
| Вес брутто: | 3.07 г. |
| Наименование: | FDP2532 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 150V 79A TO-220AB |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
FDP2532, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 79A - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 8A(Ta),79A(Tc) Сопротивление открытого канала: 16 мОм @ 33А, 10В Мощность макс.: 310Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard
Производитель: ON Semiconductor. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.