SI4490DY-T1-GE3, Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 2.85 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 200В |
| Ток стока макс.: | 2.85A |
| Сопротивление открытого канала: | 80 мОм |
| Мощность макс.: | 1.56Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2В |
| Заряд затвора: | 42нКл |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOIC8 |
| Вес брутто: | 0.2 г. |
| Наименование: | SI4490DY-T1-GE3 |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-SOIC |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
Описание
SI4490DY-T1-GE3, Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 2.85 А - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: Vishay. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 2.85A Сопротивление открытого канала: 80 мОм Мощность макс.: 1.56Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.