STP55NF06, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 55А 150Вт
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 50A |
| Сопротивление открытого канала: | 18 мОм |
| Мощность макс.: | 110Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 60нКл |
| Входная емкость: | 1300пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220AB |
| Вес брутто: | 2.75 г. |
| Наименование: | STP55NF06 |
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Описание Eng: | N-MOS 60V, 55A, 150W |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор MOSFET от известного производителя ST Microelectronics - STP55NF06. Этот компонент отличается надежностью, высокой производительностью и широкими возможностями применения в различных электронных устройствах.
STP55NF06 - это N-канальный MOSFET транзистор, способный выдерживать напряжение до 60В и пропускать ток до 55А. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала в 18 мОм и высокой максимальной мощности в 150Вт, данный транзистор идеально подходит для использования в силовых схемах, преобразователях, инверторах и других приложениях, требующих высокой производительности.
- Напряжение исток-сток макс.: 60В
- Ток стока макс.: 55А
- Сопротивление открытого канала: 18 мОм
- Мощность макс.: 150Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 4В
- Заряд затвора: 60нКл
- Входная емкость: 1300пФ
- Тип монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-220AB
- Вес брутто: 2.75 г.
Благодаря своим характеристикам, транзистор STP55NF06 находит широкое применение в различных областях электроники, таких как: источники питания, регуляторы напряжения, усилители мощности, коммутирующие схемы, импульсные преобразователи, инверторы и многие другие устройства, где требуется высокая производительность и надежность.