IRF640STRRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 200В |
| Ток стока макс.: | 18A |
| Сопротивление открытого канала: | 180 мОм |
| Мощность макс.: | 130Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 70нКл |
| Входная емкость: | 1300пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | D2Pak (TO-263) |
| Вес брутто: | 2.31 г. |
| Наименование: | IRF640STRRPBF |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 800 шт |
Описание
Компонент IRF640STRRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18A (Vishay), категория электронные компоненты.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Тип монтажа: Surface Mount
- Тип транзистора: N-канал
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Ток стока макс.: 18A
- Вес брутто: 2.31 г.
- Входная емкость: 1300пФ
- Заряд затвора: 70нКл
- Корпус: D2Pak (TO-263)