STD20NF06LT4, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 24А 0.032 Ом, 60Вт
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 24A |
| Сопротивление открытого канала: | 40 мОм |
| Мощность макс.: | 60Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Automotive, Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.5В |
| Заряд затвора: | 13нКл |
| Входная емкость: | 660пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK |
| Вес брутто: | 0.59 г. |
| Наименование: | STD20NF06LT4 |
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 60V 24A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию полевой транзистор STD20NF06LT4 от компании ST Microelectronics. Это надежный и высокопроизводительный компонент, который идеально подходит для широкого спектра электронных схем и устройств. Благодаря своим впечатляющим техническим характеристикам, этот транзистор обеспечивает эффективное управление мощностью и надежную работу в различных приложениях.
Ключевые характеристики данного полевого транзистора:
- Напряжение исток-сток макс.: 60В
- Ток стока макс.: 24A
- Сопротивление открытого канала: 40 мОм
- Мощность макс.: 60Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Особенности: Automotive, Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
- Заряд затвора: 13нКл
- Входная емкость: 660пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Корпус: DPAK
- Вес брутто: 0.59 г
- Описание Eng: MOSFET N-CH 60V 24A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Нормоупаковка: 2500 шт
Транзистор STD20NF06LT4 идеально подходит для использования в широком спектре электронных устройств, включая инверторы, импульсные источники питания, преобразователи напряжения, усилители мощности, а также в автомобильной электронике. Его высокая надежность и эффективность делают его незаменимым компонентом при разработке современных электронных схем.